PIN Photodetector تي اعلي طاقت سلکان ڪاربائڊ ڊيوڊ جو اثر
اعلي طاقت silicon carbide PIN diode هميشه طاقت جي ڊوائس تحقيق جي ميدان ۾ hotspot مان هڪ آهي. هڪ PIN ڊاءِڊ هڪ ڪرسٽل ڊاءِڊ آهي جيڪو P+ علائقي ۽ n+ علائقي جي وچ ۾ اندروني سيمي ڪنڊڪٽر (يا سيمي ڪنڊڪٽر جي گهٽ ڪنسنٽريشن سان) جي هڪ پرت کي سينڊوچ ڪندي ٺهيل آهي. I in PIN انگريزيءَ ۾ مخفف آهي جنهن جي معنيٰ ”اندروني“ آهي، ڇاڪاڻ ته نجاست کان سواءِ خالص سيميڪنڊڪٽر جو وجود ناممڪن آهي، تنهن ڪري ايپليڪيشن ۾ PIN ڊاءِڊ جي I پرت گهٽ ۾ گهٽ پي جي ٿوري مقدار سان مليل آهي. -ٽائپ يا اين قسم جي نجاست. في الحال، silicon carbide PIN diode بنيادي طور Mesa جوڙجڪ ۽ جهاز جي جوڙجڪ کي اپنائڻ.
جڏهن PIN ڊاءِڊ جي آپريٽنگ فريڪوئنسي 100MHz کان وڌي وڃي ٿي، ته ڪجھ ڪيريئرز جي اسٽوريج جي اثر ۽ پرت I ۾ ٽرانزٽ ٽائيم اثر جي ڪري، ڊاءِڊ ريڪٽيفڪيشن اثر وڃائي ويهندو آهي ۽ هڪ امڪاني عنصر بڻجي ويندو آهي، ۽ ان جي مائپيڊنس ويليو بائس وولٽيج سان تبديل ٿي ويندي آهي. صفر تعصب يا ڊي سي ريورس تعصب تي، I علائقي ۾ رڪاوٽ تمام گهڻو آهي. ڊي سي فارورڊ تعصب ۾، I علائقي کي ڪيريئر انجيڪشن جي ڪري گهٽ رڪاوٽ رياست پيش ڪري ٿي. تنهن ڪري، PIN ڊاءڊ هڪ متغير رڪاوٽ عنصر جي طور تي استعمال ڪري سگهجي ٿو، مائڪرو ويڪرو ۽ آر ايف ڪنٽرول جي ميدان ۾، اڪثر ڪري سگنل سوئچنگ حاصل ڪرڻ لاء سوئچنگ ڊوائيسز استعمال ڪرڻ ضروري آهي، خاص طور تي ڪجهه اعلي فريڪوئنسي سگنل ڪنٽرول سينٽرن ۾، پن ڊاءڊس کي بهتر آهي. آر ايف سگنل ڪنٽرول صلاحيتون، پر پڻ وڏي پيماني تي استعمال ٿيل مرحلو شفٽ، ماڊل، محدود ۽ ٻين سرڪٽ ۾.
هاء-پاور silicon carbide diode وڏي پيماني تي طاقت جي ميدان ۾ استعمال ڪيو ويندو آهي ڇاڪاڻ ته ان جي اعلي وولٹیج مزاحمتي خاصيتن جي ڪري، خاص طور تي استعمال ڪيو ويندو آهي جيئن ته اعلي طاقت rectifier ٽيوب. پن ڊاءِڊ وٽ هڪ اعليٰ ريورس نازڪ بريڪ ڊائون وولٽيج VB آهي، وچ ۾ گهٽ ڊوپنگ آءِ پرت جي ڪري مين وولٽيج ڊراپ کڻي وڃي ٿي. زون I جي ٿلهي کي وڌائڻ ۽ زون I جي ڊاپنگ ڪنسنٽريشن کي گھٽائڻ سان PIN ڊاءِڊ جي ريورس بريڪ ڊائون وولٽيج کي بھتر بڻائي سگھجي ٿو، پر زون I جي موجودگي پوري ڊيوائس جي فارورڊ وولٽيج ڊراپ VF ۽ ڊوائيس جي سوئچنگ ٽائيم کي بھتر بڻائيندي. هڪ خاص حد تائين، ۽ سلکان ڪاربائيڊ مواد مان ٺهيل ڊائوڊ انهن گهٽتائي کي پورو ڪري سگهي ٿو. سلکان ڪاربائڊ 10 ڀيرا نازڪ بريڪ ڊائون برقي فيلڊ سلڪون، انهي ڪري ته سلکان ڪاربائڊ ڊاءڊ I زون جي ٿولهه سلکان ٽيوب جي ڏهين حصي تائين گھٽائي سگهجي ٿي، جڏهن ته اعلي خرابي واري وولٹیج کي برقرار رکندي، سلکان ڪاربائيڊ مواد جي سٺي حرارتي چالکائي سان گڏ. , اتي ڪو به واضح گرمي dissipation مسئلا نه ٿيندو، پوء اعلي-پاور silicon carbide diode جديد پاور اليڪٽرانڪس جي ميدان ۾ هڪ تمام اهم rectifier اوزار بڻجي چڪو آهي.
ڇاڪاڻ ته ان جي تمام ننڍي ريورس لڪيج موجوده ۽ اعلي ڪيريئر موبلائيت جي ڪري، سلکان ڪاربائڊ ڊيوڊس فوٽو اليڪٽرڪ ڳولڻ جي ميدان ۾ وڏي ڪشش رکن ٿا. ننڍڙا رستا موجوده ڊيڪٽر جي اونداهي موجوده کي گهٽائي سگهن ٿا ۽ شور کي گهٽائي سگهن ٿا؛ هاء ڪيريئر موبلٽي کي مؤثر طور تي سلکان ڪاربائيڊ پن ڊيڪٽر (پن فوٽو ڊيڪٽر) جي حساسيت کي بهتر بڻائي سگھي ٿو. سلکان ڪاربائيڊ ڊيوڊز جون اعليٰ طاقت جون خاصيتون پن ڊيڪٽرز کي مضبوط روشنيءَ جا ذريعا ڳولڻ جي قابل بڻائين ٿيون ۽ خلائي ميدان ۾ وڏي پيماني تي استعمال ٿين ٿيون. هاء پاور سلڪون ڪاربائڊ ڊيوڊ کي ان جي شاندار خاصيتن جي ڪري ڌيان ڏنو ويو آهي، ۽ ان جي تحقيق پڻ وڏي ترقي ڪئي وئي آهي.
پوسٽ جو وقت: آڪٽوبر-13-2023